（一）非晶矽（a-Si）
在 1980 年代，非晶矽是當時唯一的薄膜型太陽電池材料，由於光電轉換效率較低及具有光
劣化的不穩定性，因此早期始終無法打入主流的發電用市場，而多應用於小功率的消費性電子
產品市場。但近年隨著二層或多層接合太陽電池（ Multijunction Cell ）技術之發展，使得
單層厚度可以降低而減緩照光後衰退的現象，且可吸收不同波段的太陽光譜，因此光電轉換效
率獲得提升。
（二）CIS/CIGS
CIS (Copper Indium Diselenide) 、或 CIGS(Copper Indium Gallium Senillide) 吸光範圍
很廣，其穩定性及光電轉換效率為各類型薄膜太陽電池中最高者，被認為是短期內最有可能達
到矽晶片型太陽電池效能之薄膜太陽電池。在標準測試條件下，最佳 CIS 太陽電池之光電轉
換效率可達 19.5% ，可媲美最佳的多晶矽太陽電池效率，且其大面積試製品之最佳效率已可
達13％以上。
（三）CdTe
CdTe 薄膜太陽電池之優點包括： (1)CdTe 的能隙為直接能隙，能隙值為 1.45eV ，可獲得
較高的光電轉換效率， CdTe 太陽電池在實驗室之效率可達 16% 以上，目前技術若使用耐高
溫 (~ 600C ) 的硼玻璃 (Borosilicate) 可得 16% 的轉換效率，而使用不耐高溫但成本較
低的鈉玻璃 (soda-lime) 也可達 12% 的效率； (2)CdTe 為二元化合物，可以簡易計量化學
控制其 n- 型 CdS (Cadmium Sulphide) 及 p- 型 CdTe 薄膜之摻雜； (3) 可利用多種快速
成膜技術製作。由於模組化生產容易，因此近年商業化的動作亦相當積極， CdTe/glass 已
應用於大面積屋頂建材。
（四）薄膜矽
薄膜矽太陽電池是一種不同於非晶矽及單晶矽基材之矽基太陽電池，它不如非晶矽模組通常厚
約只有 300nm 那麼薄，但比目前結晶矽太陽電池之晶片厚度約在 200m m 以上要來得薄許多
，薄膜矽 Cell 厚度約為幾個 mm 或更薄。薄膜矽原料需求只有約為矽晶片型的 1/100 ，且
具有高吸收光特性，通常無光劣化現象，因此年度每 Watt 發電量較高，對消費者而言能源回
收期可縮短。因此，薄膜矽太陽電池技術之未來發展潛力頗被 PV 業界看好，目前 a-Si/mc-
Si 疊層型薄膜太陽電池已有部份商品化，而 mc-Si 太陽電池則多還在開發，但已接近技術成
熟階段，其關鍵技術在於快速沉積（＞ 1nm/sec ）、鍍膜品質與大面積製程之可靠度及重現
性。
